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    幾款不錯的場效應管功放電路圖

    時間:2020-01-16 10:08:13來源:網絡 作者:電子愛好者 點擊:
      幾款不錯的電路圖   場效應管多管并聯輸出,500W。   場管跟普功率最大不同就是場管是用電壓驅動,在驅動級上有些不一樣,沒弄過場管功放,音質怎要看你設計和工藝!   IRFB33N15D是一顆非常好的MOS管

      幾款不錯的場效應管功放電路圖










     

      場效應管多管并聯輸出,500W。

      場管跟普功率最大不同就是場管是用電壓驅動,在驅動級上有些不一樣,沒弄過場管功放,音質怎要看你設計和工藝!

      IRFB33N15D是一顆非常好的MOS管,其導通內阻低達56mΩ,最大電流為33A,耐壓卻有150V,常用于DC/DC的變換器中,當然,在數字功放中,也經常應用。

      其也有不足的地方,其輸入電容為2020pF,和常見的MOS管一樣,在驅動它時,就要采用特殊電路來驅動,如同你的電路中的R29和D3并聯電路,也是業界慣用手法,其作用是:

      當沒有R29時,Q7的柵極直接接前面的IC引腳,其內部都是圖騰柱電路,由于是容性負載,都會有振蕩產生,從而使驅動波形出現振鈴現象,產生的后時是,MOS管開啟不夠,內阻大,效率低。 串入R29可以消除這種振蕩,其和后續的MOS管輸入電容(Ciss)的時間常數要遠小于MOS管的開啟時間13ns,而4.7Ω的2020pF的時間常數為9.5nS,滿足要求。

      IRFB33N15D用標準電路(相當于R29為3.6Ω)驅動時,其恢復時間長達130nS,這也是MOS管的通病,為了加快關斷(爭取這9.5nS的時間),在關斷時,希望柵級電阻為0,所以會在R29上反向并聯肖特基二極管D3(其工作頻率可以近GHz),來加速放電。

      IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V這間,實際驅動時,取決于IRS2902S的工作電壓,實際都在10V左右,肖特基二極管D3的正向壓降只有1.2V左右(電流1A,但其ΔV/ΔI約為0,動態內阻極低),已經可以確保Q7和柵極處于低于VGS以下,對關斷沒有影響。 另外,你要學習動態內阻的含義,如同電源,其壓降可能是5V,但其內阻可以低達十幾毫歐。

      這個電路里的2顆場效應管不能同時導通,所以,在它們工作的時候,要關斷優先,導通稍緩。D3,D4二極管就能夠在驅動電壓下降的時候,迅速釋放場效應管的柵極結電壓,從而使管子從導通狀態恢復到關斷狀態的時間大大縮短。而驅動電壓上升的時候,要通過R29,R27給管子的柵極結電容充電,從而延緩了管子的導通時間。 就這樣實現了關斷優先,導通稍緩的功能,大大的避免了一個管子還沒退出導通,另一個管子已經進入導通的狀態。

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